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捷捷微电推出新-代100VP沟道SGT MOSFET，JMPL1050AU采用薄小型PDFN3x3-8L封装
发布时间：2022-09-30 栏目行业：产品知识 浏览次数：
2022年7月1日捷捷微电特此专题推出新-代100VP沟道SGT MOSFET.比起上一代设计，FOM 性能改善20%，实现国际领先。先进PDFN3x3-8L及PDFN5x6-8L薄型封装，比传统SOP-8L及DPAK封装，面积缩小64%及48%，高度降低45%及55%，极为适合紧凑型终端设计。同时，PDFN5x6-8L 的引脚具低应力且长达0.275mm,极大程度地改善自动光学检测(AOI)印刷电路板组装(PCBA) 的焊点良率,进一步保证终端的稳定工作和长期可靠性。
100V P沟道MOSFET的驱动电路相比N沟道MOSFET更加简单，满足超性能运算(HPC)、工业5.0(IE) 、车载电子(Autonomous Driving System, ADS)后装市场的「 高端负载、防反接电路、电池反向保护、B/BLDC 电机驱动、DC-DC降压转换的高边开关J等应用对系统长期稳定运作,陝窄应用空间、及减少电路关键故障点的不断需求。新一代P沟道JPFET9 性能达国际领先水平,主要电气参数如RosOMLm和FOM均优于国际-线半导体IDM同类产品。其中JMPL1050AU采用薄小型PDFN3x3-8L封装，在Vs=10V条件下，器件的RosO.m及FOM测量
值分别低达38mQ 1 760，均为国际领先水平。此外，-流的线性模式1安全工作区(SOA) 特性，使器件在大电流的工作状态下，仍能实现安全可靠的运作。极低的导通电阻有助于提高运行效能，降低系统成本，并延长器件的使用寿命。
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