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氮化镓黑马元拓高科发布GaNmosfet: 体积小，内阻低，耐压高，散热快
发布时间：2021-12-24 栏目行业：产品知识 浏览次数：
深圳元拓高科作为国内第三代半导体设计公司，集合了国内外十数名资深功率器件资深专家，最新推出专门用于快充充电头的氮化镓Mos管YT65系列。该产品主要针对30W——120W 快充头，体积小，内阻低，耐压高，集成度高，散热快，助力用户轻松设计充电头。
该系列芯片具有以下优势：
1.体积小
YT65系列不同于业界普遍采用的QFN8*8封装，采用DFN5*6的封装，在追求小型化，大功率密度的设计中，节省了PCB空间, 大大简化了工程师布板的难度。
以下是参考设计demo,65W 1A1C；业绩体积最小。功率密度达2.08w;
2.内阻低
YT65系列中的YT65E15DAB为单体增强型设计，内阻低至120mΩ，大大降低了MOS管在工作是的发热，提高工作电流。
3.耐压高
本公司所有系列的GaN产品，耐压最低在750V以上，电路设计，电路保护，不发生炸机。降低了工程师在设计中的风险，对其他物料的选型不挑品牌。在缺物料的大环境市场行情中，更快设计，更快出品。
3.外围简单
外围电路简单，该芯片内部内置驱动，外围设计非常简单，Vgs最大20V，可以直接驱动，无需另外驱动电路。少用10几颗元器件，对于客户BOM成本，加工成本都能降低，同时大大降低了生产工艺难度，易于生产。从而整体降低产品成本。
4.独特封装设计，散热更快
采用DFN5*6的封装，而且底部超大散热面积，有效降低了热量在芯片的叠加，增加了安全性。整个产品外壳的温升也得到有效的控制。另外，独特的EMI设计，整个充电头过安规认证也更容易。
